Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Платный доступ или доступ для подписчиков

Диэлектрические коэффициенты монокристаллов (1 - x)TlGaSe2 · xDy в переменных электрических полях

С. Н. Мустафаева, К. М. Гусейнова, М. М. Асадов

Аннотация


Синтезированы монокристаллы (1 - x)TlGaSe2 · xDy (х = 0; 0,01; 0,03). Установлены закономерности изменения диэлектрических коэффициентов и проводимости материалов (1 - x)TlGaSe2 · xDy в зависимости от их состава и частоты переменного электрического поля. Введение диспрозия в кристаллическую матрицу TlGaSe2 существенно увеличивает действительную и мнимую составляющие комплексной диэлектрической проницаемости, тангенс угла диэлектрических потерь и проводимость на переменном токе.

Ключевые слова


твердые растворы; (1 - x)TlGaSe2 · xDy; диэлектрические коэффициенты; проводимость кристаллов; плотность состояний; solid solutions; (1 - x)TlGaSe2 · xDy; dielectric parameters; conductance of crystals; density of states

Полный текст:

PDF

Литература


Mustafaeva S. N. The interlauer energy barrier in the anisotropic TlBIIIC2VI monocrystals // Fizika. 2005. V. 11, No. 1 - 2. P. 36 - 37.

Мустафаева С. Н., Асадов М. М. Анизотропия температурно-зависимой электрической проводимости в слоистых монокристаллах TlBIII (BIII = In, Ga; CVI = S, Se) // Инженерно-химическая энциклопедия. 2010. Т. 8. С. 26 - 29.

Мустафаева С. Н., Мамедбейли С. Д., Асадов М. М. и др. Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe2 // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30, № 12. С. 2154 - 2158.

Шелег А. У., Иодковская К. В., Курилович Н. Ф. Влияние gamma-облучения на электропроводность и диэлектрические свойства кристаллов TlGaSe2 при низких температурах // Физика твердого тела. 1998. Т. 40, № 7. С. 1328 - 1331.

Plyushch O. B., Sheleg A. U. Polytypism and phase transitions in TlInS2 and TlGaSe2 crystals // Crystallogr. Rep. 1999. V. 44. P. 813 - 817.

Sheleg A. U., Shevtsova V. V., Hurtavy V. G. et al. Low temperature x-ray studies of TlInS2, TlGaS2, and TlGaSe2 single crystals // J. Surf. Invest.: x-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2013. No. 7. P. 1052 - 1055.

Мустафаева С. Н. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости монокристаллов TlGaSe2 при радиочастотах // Журнал радиоэлектроники. 2015. № 1. С. 1 - 11.

Mustafaeva S. N., Gasanov A. I. Relaxation Phenomena in TlGa0.99Fe0.01Se2 Single Crystals // Phys. Solid State. 2004. V. 46. P. 2002 - 2007.

Мустафаева С. Н. Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях // Журнал радиоэлектроники. 2008. № 5. P. 1 - 11.

Mustafaeva S. N. Effect of partial transition metals substitution for gallium on the ac electric and dielectric properties of TlGaS2 and TlGaSe2 // Power engineering problems. 2010. No. 2. P. 58 - 61.

Mustafaeva S. N., Asadov M. M. Influence of the composition of TlGa1 - xErxSe2 crystals on their dielectric characteristics and parameters of localized states // Phys. Solid State. 2013. V. 55. P. 2466 - 2470.

Mustafaeva S. N., Asadov C. M., Gojaev M. M., Magerramov A. B. Complex dielectric permittivity and electrical conductivity of (TlGaSe2)1 - x(TlInS2)x solid solutions in an ac electric field // Inorganic Materials. 2016. V. 52. P. 1096 - 1102.

Mustafaeva S. N., Asadov S. M. Dielectric properties and electrical conductivity of (1 - x)TlGaSe2 · xTm crystals // Inorganic Materials. 2018. V. 54. P. 627 - 631.

Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Sc, Y, La - Lu Rare Earth Elements. Berlin: Springer, 1986. System no. 39. 555 p.

Mott N. F., Davis E. A. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, Oxford: Clarendon, 1971. 274 p.

Мустафаева С. Н., Алиев В. А., Асадов М. М. Анизотропия прыжковой проводимости в монокристаллах TlGaSe2 // Физика твердого тела. 1998. Т. 40, № 1. С. 48 - 51.

Allakhverdiev K. R., Vinogradov E. A., Nani R. Kh. Vibrational spectra of TlGaS2, TlGaSe2, and β-TlInS2 crystals // Physical Properties of Mixed Semiconductors, Baku: Elm, 1982. P. 55 - 63.




DOI: https://doi.org/10.30906/mitom.2020.1.31-35

© Издательский дом «Фолиум», 1998–2025